[发明专利]光电转换模块无效
申请号: | 201110187713.X | 申请日: | 2011-07-06 |
公开(公告)号: | CN102332357A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 金炫彻;许相烈;郑株湜 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01G9/04 | 分类号: | H01G9/04;H01G9/26;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/44 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 冯玉清 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开一种光电转换模块。该光电转换模块包括彼此面对的光接收基板和对基板以及形成在光接收基板和对基板之间的第一单位光电池和第二单位光电池。第一单位光电池包括形成在光接收基板上的第一光电极和形成在对基板上的第一对电极,第二单位光电池包括形成在对基板上的第二光电极和形成在光接收基板上的第二对电极。第一光电极包括第一半导体层,第二光电极包括第二半导体层,且第一半导体层的第一宽度与第二半导体层的第二宽度不对称。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 模块 | ||
【主权项】:
一种光电转换模块,包括:彼此面对的光接收基板和对基板;以及第一单位光电池和第二单位光电池,形成在所述光接收基板和所述对基板之间,其中所述第一单位光电池包括形成在所述光接收基板上的第一光电极和形成在所述对基板上的第一对电极,其中所述第二单位光电池包括形成在所述对基板上的第二光电极和形成在所述光接收基板上的第二对电极,其中所述第一光电极包括第一半导体层,其中所述第二光电极包括第二半导体层,且其中所述第一半导体层的第一宽度与所述第二半导体层的第二宽度不对称。
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