[发明专利]降低HDPCVD缺陷的方法有效
| 申请号： | 201110187767.6 | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102867773A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 孟令款 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种降低HDPCVD缺陷的方法，采用原位刻蚀、远程等离子体刻蚀和低压远程等离子体刻蚀相结合的清洗工艺清除HDPCVD设备沉积过程中或沉积后腔体上残余的沉积薄膜颗粒，以免缺陷掉落在正在沉积的沟槽中，造成孔洞问题；该方法还可以除去由腔体中剩余的颗粒在沉积后掉落在晶圆上而形成大的难以去除的表面缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 hdpcvd 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种降低HDPCVD缺陷的方法，其特征在于，包括：在腔体中通入工艺所需的沉积反应气体，采用HDPCVD方法沉积预定厚度的电介质薄膜；当沉积设定片数的晶圆时或腔体内壁上的薄膜积累到设定限制时，沉积工艺停止，并启动干法清洗工艺以清洗整个腔体；通入干法清洗气体，进行腔体的干法清洗工艺，该干法清洗工艺包括原位刻蚀、远程等离子体刻蚀和低压远程等离子体刻蚀，其中，原位刻蚀包括一个终点侦测系统；在完成上述干法清洗工艺之后，腔体重新执行新一轮的沉积循环工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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