[发明专利]非易失性存储器件、存储系统和执行读操作的方法有效
| 申请号： | 201110187946.X | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102314941B | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 金承范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/14;G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在非易失性存储器件中，针对具有正的阈值电压的非易失性存储单元的读操作施加正的读电压到选择的字线和施加第一控制信号到与选择的位线连接的页缓冲器，但是如果存储电压具有负的阈值电压，则读操作施加负的读电压到选择的字线和施加不同于第一控制信号的第二控制信号到页缓冲器。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 存储系统 执行 操作 方法 | ||
【主权项】：
一种操作非易失性存储器件的方法，包括：在针对具有正的阈值电压且连接在选择的字线和选择的位线之间的非易失性存储单元的读操作期间，将正的读电压施加到选择的字线以及将第一控制信号施加到与选择的位线连接的页缓冲器，其中第一控制信号定义第一读操作间隔，该第一读操作间隔包括第一放电间隔、第一预充电间隔、第一发展间隔和第一读出间隔；以及在针对具有负的阈值电压的存储单元的读操作期间，将负的读电压施加到选择的字线以及将不同于第一控制信号的第二控制信号施加到页缓冲器，其中第二控制信号定义第二读操作间隔，第二读操作间隔在持续时间上比第一读操作间隔长并且包括第二放电间隔、第二预充电间隔、第二发展间隔和第二读出间隔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110187946.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
