[发明专利]一种改良的晶硅太阳能电池氮化硅减反膜制备方法

摘要

本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，具体涉及一种改良的晶硅太阳能电池减反膜制备方法。传统的制备方法用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出的SiNx减反膜由于其相对较高的沉积速率导致了SiNx减反膜的致密性和均匀性较差，钝化效果和减反效果都不能达到最佳。本发明以SiH4、NH3为主要反应气体，并在淀积过程中缓慢均匀充入N2作为分散剂和副反应气体，用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备SiNx减反膜。用此制备方法制备的氮化硅减反膜均匀，致密性好，钝化效果佳，减反效果好。与传统的没有使用N2的工艺相比较，该方法制备出的SiNx减反膜能有效提高晶硅太阳能电池光电转换效率0.2%。

主权项

一种改良的晶硅太阳能电池减反膜制备方法，其特征是采用晶体硅原料，依次经过清洗制绒、扩散、等离子刻蚀、去磷硅玻璃后，用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD），以SiH4、NH3为主要反应气体，并在淀积过程中缓慢均匀充入定量N2作为分散剂和副反应气体。