[发明专利]一种多晶硅表面两次酸刻蚀织构的制备方法

摘要

本发明公开了一种不同于以往工艺的多晶硅表面两次酸刻蚀织构的制备方法，该方法能够解决硅片腐蚀坑的不均匀现象，进而解决了太阳能电池片在PECVD镀膜后存在的色差问题，优化了太阳电池片的外观。本发明采用了一种两次酸刻蚀织构制备方法，第一次酸刻蚀织构的特点为温度较低和时间较短，通过控制刻蚀反应液各组分浓度，有效去除硅片表面的机械损伤层，同时形成了较小的腐蚀坑；第二次织构的特点为温度较高和时间较长，在硅片表面形成了较大且均匀的腐蚀坑。通过此方法有效克服了传统工艺腐蚀坑不均匀的缺点，消除了太阳能电池片在PECVD镀膜后出现的色差问题，同时该工艺不增加生产成本。

主权项

一种多晶硅表面两次酸刻蚀织构制备方法，其特征包括以下工艺步骤：1）配制一定浓度的以HF‑HNO3为基础的酸溶液，使HF浓度为3mol/L‑3.3mol/L，HNO3浓度为9mol/L‑9.8mol/L,循环时间为2小时；2）控制酸刻蚀液温度为3‑10℃，损伤层密度不同的硅片于溶液中反应40‑60s,然后用去离子水清洗；3）清洗后的硅片于2%的NaOH溶液中反应10s，去除表面的多孔硅，然后用去离子水清洗；4）清洗后的硅片于5%的HF和10%的HCl混合溶液中反应30s, 去除表面的金属离子和氧化层，然后用去离子水清洗后吹干；5）控制酸刻蚀液温度为6‑12℃，将之前刻蚀后的硅片，放入酸刻蚀液中进行二次酸刻蚀织构，反应时间控制在40‑60s；6）二次酸刻蚀织构后的硅片于2%的NaOH溶液中反应10s，去除表面的多孔硅，然后用去离子水清洗；7）清洗后的硅片于HF和HCl混合溶液中反应30s, 去除表面的金属离子和氧化层，然后用去离子水清洗后吹干；8）依次进行扩散，等离子刻蚀，去磷硅玻璃，PECVD，丝网印刷和烧结工艺，将硅片做成太阳电池片。