[发明专利]一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片有效
| 申请号： | 201110188060.7 | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102867748A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;罗军;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李亚非;刘鹏 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片。制作晶体管的方法可以包括下面的步骤：在半导体衬底上确定有源区，在所述有源区上形成栅叠层、主侧墙和源漏区，所述主侧墙环绕所述栅叠层，所述源漏区嵌于所述有源区中且自对准于所述主侧墙的两侧；环绕所述主侧墙形成半导体侧墙，并沿所述栅堆叠的宽度方向将所述半导体侧墙的端部断开以使得所述源漏区隔离；在所述源漏区和半导体侧墙表面覆盖一层金属或合金，并进行退火，以使得所述源漏区表面形成金属硅化物，同时使得所述半导体侧墙形成硅化物侧墙。这样减小了镍原子或者离子经由源漏延伸区进入沟道区导致晶体管失效的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 及其 制作方法 包括 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
一种制作晶体管的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上确定有源区，在所述有源区上形成栅叠层、主侧墙和源漏区，所述主侧墙环绕所述栅叠层，所述源漏区嵌于所述有源区中且自对准于所述主侧墙的两侧；环绕所述主侧墙形成半导体侧墙，并沿所述栅堆叠的宽度方向将所述半导体侧墙的端部断开以使得所述源漏区隔离；在所述源漏区和半导体侧墙表面覆盖一层金属或合金，并进行退火，以使得所述源漏区表面形成金属硅化物，同时使得所述半导体侧墙形成硅化物侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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