[发明专利]一种制备InN薄膜的磁控溅射方法无效
| 申请号： | 201110188062.6 | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102268650A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 徐明;董成军;芦伟;黄勤珍 | 申请（专利权）人： | 西南民族大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 黄幼陵;马新民 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备InN薄膜的磁控溅射方法，其工艺步骤依次如下：(1)以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将经步骤(1)处理过的衬底放入溅射室，以Al为靶材，在真空条件下采用磁控溅射法在衬底上生长第一缓冲层AlN；(3)第一缓冲层AlN的生长结束后，将靶材更换为Al与In的质量比为1∶3的Al-In合金，在真空条件下采用磁控溅射法完成第二缓冲层Al0.24In0.76N在第一缓冲层AlN上的生长；(4)第二缓冲层Al0.24In0.76N的生长结束后，将靶材更换为In，在真空条件下采用磁控溅射法完成InN薄膜在第二缓冲层Al0.24In0.76N上的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 inn 薄膜 磁控溅射 方法 | ||
【主权项】：
一种制备InN薄膜的磁控溅射方法，其特征在于工艺步骤依次如下：(1)衬底的处理以Si(111)为衬底，在室温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)第一缓冲层AlN的生长将经步骤(1)处理过的衬底放入溅射室，在真空条件下采用磁控溅射法在衬底上生长第一缓冲层AlN，靶材为Al，以N2为反应气体，Ar为工作气体，N2与Ar的流量比为9∶1，溅射功率50W～60W，溅射时间20分钟～30分钟，溅射过程中衬底的温度控制在450℃～550℃；(3)第二缓冲层Al0.24In0.76N的生长第一缓冲层AlN的生长结束后，将靶材更换为Al与In的质量比为1∶3的Al‑In合金，在真空条件下采用磁控溅射法完成第二缓冲层Al0.24In0.76N在第一缓冲层AlN上的生长，以N2为反应气体，Ar为工作气体，N2与Ar的流量比为3∶1，溅射功率80W～150W，溅射时间10分钟～30分钟，溅射过程中衬底的温度控制在250℃～350℃；(4)InN薄膜的生长第二缓冲层Al0.24In0.76N生长的结束后，将靶材更换为In，在真空条件下采用磁控溅射法完成InN薄膜在第二缓冲层Al0.24In0.76N上的生长，以N2为反应气体，Ar为工作气体，N2与Ar的流量比为3∶1，溅射功率60W～120W，溅射时间10分钟～30分钟，溅射过程中衬底的温度控制在250℃～350℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南民族大学，未经西南民族大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110188062.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种利用大楼水箱下泄水发电的照明和指路显示方法和装置
- 下一篇：快动台虎钳
- 同类专利
- 专利分类
