[发明专利]一种用于生长厚膜GaN材料的图形化模板的制备方法有效
| 申请号： | 201110188544.1 | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102347214A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 于广辉;师小萍;王斌 | 申请（专利权）人： | 德泓（福建）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 364101 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于生长GaN材料的图形化模板的制备方法，包括：(1)选择表面生长了GaN外延层的Si衬底作为模板；(2)沉积一层SiO2或SiNx介质薄层；(3)通过光刻、沉积金属和剥离的方法获得图形化的金属薄层；(4)采用干法刻蚀技术刻蚀介质层/GaN/Si衬底；(5)去除残留的金属；(6)通过氧化或氮化处理，使得Si的表面覆盖SiO2或SiNx层，即得。本发明简单，充分利用Si衬底尺寸大的优势，实现大尺寸GaN同质衬底的制备，适合于工业化生产；空气桥结构的外延生长方法，大大释放了GaN外延层中的应力，避免了由于GaN和Si之间的大失配而造成厚膜GaN碎裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 gan 材料 图形 模板 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生长GaN材料的图形化模板的制备方法，包括：(1)选择表面生长了GaN外延层的Si衬底作为模板；(2)在步骤(1)中所述的模板上，沉积一层SiO2或SiNx介质薄层；(3)在上述SiO2或SiNx介质薄层上通过光刻、沉积金属和剥离的方法获得图形化的金属薄层；(4)采用干法刻蚀技术对上述步骤(3)的结构进行刻蚀，刻蚀一直深入到Si衬底，得到图形化的金属层/介质层/GaN/Si衬底结构；(5)去除金属层/介质层/GaN/Si衬底结构上残留的金属；(6)通过氧化或氮化处理，使得步骤(4)中露出的Si的表面覆盖SiO2或SiNx层，即得图形化的介质层/GaN/Si衬底模板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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