[发明专利]一种碳化硅纳米线阵列的气相层间扩散反应工艺制备方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅纳米线阵列的气相层间扩散反应工艺制备方法，首先，将多孔衬底固定在双通道石英管连通两通道的开孔上，然后将双通道石英管放入高温管式炉中；其次，用真空泵对双通道石英管两通道抽真空，并通入氩气；然后，将高温管式炉升温，分别向双通道石英管的两通道通入含碳先驱体和含硅先驱体，在该温度下保温，然后降至室温，整个过程通氩气保护；最后，从双通道石英管中取出衬底，衬底表面被一层高度超过1cm的淡蓝色半透明沉积物所覆盖，该淡蓝色沉积物即为制得的碳化硅纳米线阵列，本发明采用了气相层间扩散反应工艺，可以简单、高效和低成本地获得高度有序的大面积碳化硅纳米线阵列，并且质量好，成本低，避免了该纳米线使用过程中的纯化操作。

主权项

一种碳化硅纳米线阵列的气相层间扩散反应工艺制备方法，包括以下步骤：第一步，将多孔衬底(1)固定在双通道石英管(2)连通两通道的开孔(5)上，然后将双通道石英管(2)放入高温管式炉(3)中；第二步，用真空泵对双通道石英管(2)两通道抽真空，当真空度达到 0.098MPa并稳定后，再通入氩气至双通道石英管(2)内压力0.1MPa；第三步，接通电源，将高温管式炉(3)温度升至1150℃ 1300℃，分别向双通道石英管(2)的两通道通入含碳先驱体和含硅先驱体，通入的流量范围均为40 400sccm，并且在该温度下保温0.5 2h，然后降温到室温，整个过程通氩气保护，双通道石英管(2)内压力保持在0.1MPa；第四步，从双通道石英管(2)中取出衬底，衬底表面被一层高度超过1cm的淡蓝色半透明沉积物所覆盖，该淡蓝色沉积物即为制得的碳化硅纳米线阵列。