[发明专利]负偏压温度不稳定性测试附加电路及测试方法有效
| 申请号： | 201110188627.0 | 申请日： | 2011-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102866340A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于负偏压温度不稳定性(NBTI)测试的附加电路及测试方法，其中，附加电路分别连接源-测量单元和待测PMOS；附加电路包括一个NMOS；NMOS的基极通过电阻R0与NMOS的源极电连接；NMOS的漏极通过电阻R1与待测的PMOS栅极电连接；NMOS的栅极通过电阻R2与待测的PMOS栅极电连接；NMOS基极的电位设置为小于0V，源-测量单元电压输入端与NMOS的栅极相连。当源-测量单元输入电压变为0V时，由于R2电阻分压，使得待测PMOS栅极电压小于0V，即等于在断开应力电压后出现NBTI恢复效应时，仍有一个R2的分压电压施加在待测PMOS的栅极，抑制了PMOS中NBTI的恢复效应，使得测量结果更加精确。 | ||
| 搜索关键词： | 偏压 温度 不稳定性 测试 附加 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种负偏压温度不稳定性测试附加电路，分别连接源‑测量单元和待测PMOS，其特征在于，所述测试电路包括一个NMOS；其中，NMOS的基极通过电阻R0与NMOS的源极电连接；NMOS的漏极通过电阻R1与待测的PMOS栅极电连接；NMOS的栅极通过电阻R2与待测的PMOS栅极电连接；NMOS基极的电位设置为小于0V，源‑测量单元电压输入端与所述NMOS的栅极相连。
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