[发明专利]纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法无效
| 申请号： | 201110188786.0 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102866303A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;梁擎擎;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法，包括：向器件施加第一频率的交流测试信号，确定器件在第一频率下的第一阻抗矢量包括幅值与相角；向器件施加第二频率的交流测试信号，确定器件在第二频率下的第二阻抗矢量包括幅值与相角；通过第一频率、第二频率、第一阻抗以及第二阻抗确定器件的电容。本发明的纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法，利用射频-超高频双频阻抗测试方法直接测定纳米沟道超薄栅介质的微小电容，能以较小误差测定纳米器件沟道与栅电容，抑制超薄栅介质高漏电的寄生影响，提高纳米器件沟道的微小电容测试量程，且对纳米器件沟道电容的直接在片测试无需特殊测试结构。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 器件 沟道 超薄 介质 电容 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法，包括：向测试端口施加第一频率的交流测试信号，确定器件在第一频率下的第一阻抗矢量Z1幅值|Z1|与相角Φ1；向测试端口施加第二频率的交流测试信号，确定器件在第二频率下的第二阻抗矢量Z2幅值|Z2|与相角Φ2；通过第一频率、第二频率、第一阻抗矢量以及第二阻抗矢量确定器件的电容。
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