[发明专利]一种低供电电压电流模基准电压源无效
申请号: | 201110188801.1 | 申请日: | 2011-07-07 |
公开(公告)号: | CN102866723A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 马卓;杨方杰;李少青;郭阳;陈吉华;赵振宇;张民选;窦强;孙岩;乐大珩;何小威 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | G05F3/30 | 分类号: | G05F3/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410073 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于向下电流补偿的电流模基准电压源,可工作于极低的电源电压下,且通过调节其中的器件参数可以改变基准电压源的输出电压。本发明公开的电流模基准电压源由补偿电流生成电路和基准电压生成电路组成。 | ||
搜索关键词: | 一种 供电 电压 电流 基准 | ||
【主权项】:
一种电流模基准电压源电路结构,包括:利用与温度成正比的PTAT电流或与温度成反比的CTAT电流生成一个在一定温度范围内与前述PTAT/CTAT电流近似成线性变化的补偿电流,该补偿电流变化量与前述PTAT/CTAT电流相同,但大小不同,然后将前述的PTAT/CTAT电流与前述补偿电流相减得到与温度无关的零温度系数电流,再将此零温度系数电流施加至电阻得到与温度无关的基准电压;具体的电路形式包括补偿电流生成电路和基准电压生成电路;其中,补偿电流生成电路由三个PMOS管M1、M2、M4及电阻R1组成,其中M1的栅极、M2的栅极与基准电压生成电路中PMOS管M3的栅极相连并连接至M1的漏极,同时该电路节点还作为输出节点连接至外部的PTAT/CTAT电流源,M1的源极及M2的源极均接电源,M2的漏极与电阻R1的一端、M4的背栅相连,R1的另一端接地,M4的漏极和栅极均接地;基准电压生成电路由PMOS管M3、电阻R2及电容C1组成,M3的源极接电源,M3的漏极与电阻R2的一端、电容C1的一端、M4的源极相连并作为基准电压输出端,R2的另一端接地,C1的另一端接地。
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