[发明专利]铜铟镓硒薄膜的光电化学沉积制备法无效
| 申请号： | 201110189163.5 | 申请日： | 2011-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102268702A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 赖延清;刘芳洋;杨佳;贾明;李劼;刘业翔 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C25D3/56 | 分类号： | C25D3/56;C25D5/48 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及铜铟镓硒薄膜的光电化学沉积制备法，是采用光电化学沉积的方法在置于电解液中的基底上沉积铜铟镓硒薄膜；所述电解液选自水溶液、有机溶液、离子液体或混合溶液，其中含铜、铟、镓、硒离子中的至少一种；所述光电化学沉积工艺参数为：工作电极电位为-6.0～1.5V(vs SCE)；选择至少一种单色光作为入射光，所述入射光的入射方向与工作电极的夹角为0～90°。最后可对制得薄膜进行热处理。本发明解决了传统电沉积铜铟镓硒薄膜遇到的膜层形貌差、铟和镓沉积困难、薄膜生长速度慢等难题，具有薄膜质量好、生长速度快、成分可控和形貌良好等优点，该制备方法成本低，易于实现铜铟镓硒薄膜大面积沉积，有利于其大规模工业推广与应用。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒 薄膜 光电 化学 沉积 制备 | ||
【主权项】：
铜铟镓硒薄膜的光电化学沉积制备法，是采用光电化学沉积的方法在置于电解液中的基底上沉积铜铟镓硒薄膜；所述电解液中含铜、铟、镓、硒离子中的至少一种；所述光电化学沉积工艺参数为：工作电极电位为‑6.0～1.5V(vsSCE)；选择至少一种单色光作为入射光，入射光的入射方向与工作电极的夹角为0～90°。
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