[发明专利]一种高性能纳米氧化镧掺杂钼-硅-硼合金的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110189258.7 申请日: 2011-07-07
公开(公告)号: CN102251162A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 孙军;江峰;周葵涛;张国君;刘刚;孙院军;陈小曼 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C22C27/04 分类号: C22C27/04;C22C32/00;C22C1/05
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 王艾华
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供了一种高性能纳米氧化镧掺杂钼-硅-硼合金的制备方法,以钼粉、硅粉和硼粉为原料,掺杂不同含量纳米氧化镧粉末,球磨混合均匀后进行预压预烧结,将得到的烧结体在真空电弧炉中熔炼,熔炼工作电流为800-1000A,将得到的合金锭粉碎并球磨制粉,将合金粉末用200-300目泰勒筛筛分处理,将得到的合金粉末在真空热压烧结炉中进行烧结,温度:1500-1700℃,压强:30-50MPa,时间:1-3小时,烧结完成后随炉冷却到室温。本发明弥补了传统粉末冶金工艺制备钼-硅-硼合金烧结温度高时间长、反应不充分和宏观缺陷较多的缺点,制备的纳米氧化镧掺杂钼-硅-硼合金具有组织均匀,高致密度和高强度的特点。
搜索关键词: 一种 性能 纳米 氧化 掺杂 合金 制备 方法
【主权项】:
一种高性能纳米氧化镧掺杂钼‑硅‑硼合金的制备方法,其特征在于,步骤如下:硅粉和硼粉的质量百分数分别为3.0‑5.0%和1.0‑3.0%,氧化镧的质量百分数为0‑0.9%,其余为钼粉进行球磨混合,将球磨后的粉末进行预压预烧结处理,之后在电弧熔炼炉中进行熔炼,将熔炼后的合金锭粉碎并在高能球磨机中球磨制粉,将经200‑300目泰勒筛筛分处理后的合金粉末装入石墨模具中,在真空热压烧结炉中进行热压烧结,烧结过程中真空度保持在8.5×10‑3Pa到3.5×10‑2Pa之间,升温速度为10‑30℃/min,升温过程中采用两步法升温至热压烧结温度,烧结后随炉冷却到室温后取出模具,将脱模后得到的烧结体加工去除表层0.3‑0.5mm,即得到纳米氧化镧掺杂钼‑硅‑硼合金材料。
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