[发明专利]阵列基底及其制造方法和显示设备有效
| 申请号： | 201110189367.9 | 申请日： | 2011-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102315230A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 马韩娜;朴真奭 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基底及其制造方法和显示设备。在一个实施例中，所述基底包括：1)晶体管区域，晶体管形成在所述晶体管区域中；2)电容器区域，电容器形成在所述电容器区域中，其中，电容器电连接到晶体管；3)透光区域，与晶体管区域和电容器区域中的至少一个相邻。所述基底还包括：1)第一绝缘层，形成在晶体管区域和电容器区域中的至少一个中，其中，第一绝缘层不形成在透光区域中；2)第二绝缘层，具有i)第一部分和ii)第二部分，所述第一部分布置为基本上与所述至少一个区域中的第一绝缘层叠置，所述第二部分形成在透光区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 基底 及其 制造 方法 显示 设备 | ||
【主权项】：
一种阵列基底，所述阵列基底包括：晶体管区域，晶体管形成在所述晶体管区域中；电容器区域，电容器形成在所述电容器区域中，其中，电容器电连接到晶体管；透光区域，与晶体管区域和电容器区域中的至少一个区域相邻；第一绝缘层，形成在晶体管区域和电容器区域中的至少一个区域中，其中，第一绝缘层不形成在透光区域中；第二绝缘层，具有第一部分和第二部分，所述第一部分布置为基本上与所述至少一个区域中的第一绝缘层叠置，所述第二部分形成在透光区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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