[发明专利]一种毫米波黑体后向电压反射系数的测量方法

摘要

本发明公开了一种毫米波黑体后向电压反射系数的测量方法，通过搭建毫米波黑体后向电压反射系数测量系统，矢量网络分析仪（1）测量毫米波黑体后向电压反射系数，确定毫米波黑体后向电压反射系数，完成毫米波黑体后向电压反射系数的测量及计算。本方法可以不需要测量出天线的增益、近场增益修正因子和相位中心等参数，就可以完成毫米波黑体的后向电压反射系数的测量。

主权项

1.一种毫米波黑体后向电压反射系数的测量方法，其特征在于该方法的具体步骤为：第一步  搭建毫米波黑体后向电压反射系数测量系统测量系统包括：矢量网络分析仪（1）、天线支架（2）、天线（3）、吸波材料（4）、直滑轨（5）、被测目标支架（6）、待测毫米波黑体（7）、光学平台（8）、金属平板（9）；光学平台（8）平置于地面上，吸波材料（4）铺置于光学平台（8）上面；天线支架（2）置于光学平台（8）的左侧；天线（3）置于天线支架（2）上部；矢量网络分析仪（1）的一个端口与天线（3）的馈电端口相连；直滑轨（5）置于光学平台（8）的右侧，直滑轨（5）的运动方向与天线（3）轴线平行；被测目标支架（6）置于直滑轨（5）上部，待测毫米波黑体（7）和金属平板（9）依次固定在被测目标支架（6）上面；第二步  矢量网络分析仪（1）测量毫米波黑体后向电压反射系数首先将待测黑体用螺钉或夹具固定在被测目标支架（6）之上，然后将带有黑体的被测目标支架（6）置于直滑轨（5）之上，并用螺钉固定；天线（3）与矢量网络分析仪（1）的任意一个端口相连，天线（3）轴线位于毫米波黑体的中心法线方向；在测试过程中，天线（3）的10dB宽度的主波束的照射区域位于待测毫米波黑体（7）表面之内；沿直滑轨（5）前后移动安装有被测毫米波黑体的待测目标支架，毫米波黑体移动的距离大于矢量网络分析仪（1）工作波长的一半，毫米波黑体移动距离大于矢量网络分析仪（1）的5个工作波长；测量此时天线（3）口面到被测毫米波黑体的距离；然后根据矢量网络分析仪（1）显示的反射数值用公式（1）计算过程参数a；（1）公式（1）中，和分别代表被测毫米波黑体每移动半个工作波长距离时网络分析仪测量得到的反射量模值的最大值和最小值；若与之和不随天线（3）口面到被测毫米波黑体之间的距离变化，则公式（1）取负号；若与之差不随天线（3）口面到被测毫米波黑体之间的距离变化，则公式（1）取正号；将待测毫米波黑体（7）从被测目标支架（6）上取下，并将具有镜面效果的金属平板（9）安装到被测目标支架（6）上；金属平板（9）的面积大于被测毫米波黑体的最大投影面积；沿直滑轨（5）前后移动安装有金属平板（9）的待测目标支架，金属平板（9）移动的距离大于矢量网络分析仪（1）工作波长的一半，金属平板（9）移动距离大于矢量网络分析仪（1）的5个工作波长；金属平板（9）的移动距离与测量毫米波黑体时的移动距离相同；然后根据矢量网络分析仪（1）显示的反射数值利用公式（2）计算过程参数b；（2）公式（2）中，和分别代表金属平板（9）每移动半个工作波长距离时网络分析仪测量得到的反射量模值的最大值和最小值；若与之和不随天线（3）口面到金属平板（9）之间的距离变化，则公式（2）取负号；若与之差不随天线（3）口面到金属平板（9）之间的距离变化，则公式（2）取正号；第三步  确定毫米波黑体后向电压反射系数利用公式（1）和（2）得到的过程参数a与b相比，如公式（3）所示，得到毫米波黑体的后向电压反射系数；（3）至此，完成毫米波黑体后向电压反射系数的测量及计算。