[发明专利]一种硅太阳能电池背场电极结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅太阳能电池背电极及其制备方法，其特征在于硅片和铝电极之间有一层非完全覆盖的钝化层存在，所述钝化层包含密集的网络状的微观通道，所述铝电极通过所述微观通道与所述硅片接触，形成网络状分布的定域背电场。制备时首先在硅片背面形成普通的全面覆盖的钝化层，然后采用丝网印刷技术印刷铝电极浆料，在隧道炉内烘干后，然后进入烧结炉进行高温烧结形成背场电极。本发明所述的硅太阳能电池背电极能有效抑制光生载流子在硅铝界面的复合，提高太阳能电池的光电转换效率。本发明所述制备方法有效降低硅片和铝电极的界面应力，减少硅片弯曲，对薄型太阳能电池硅片更为有利。本发明制备方法工艺简单，成本较低，适合工业化生产。

主权项

一种硅太阳能电池背电极，包括硅片和铝电极，其特征在于硅片和铝电极之间有一层非完全覆盖的钝化层，所述钝化层由随机分布的密集的网络状的微观通道构成，所述铝电极通过所述微观通道与所述硅片接触，形成网络状分布的定域背电场。