[发明专利]在衬底上RF溅射薄膜期间电弧防止的方法和装置无效
| 申请号： | 201110189851.1 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102312209A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | S·T·哈罗兰 | 申请（专利权）人： | 初星太阳能公司 |
| 主分类号： | C23C14/40 | 分类号： | C23C14/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 俞华梁;王忠忠 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明名称为在衬底上RF溅射薄膜期间电弧防止的方法和装置。提供了在从半导体靶104向衬底12上溅射薄膜期间电弧防止的方法。交流电流(例如，具有约500KHz-15MHz的频率)能从电源102施加到半导体靶104，以形成衬底12和半导体靶104之间的等离子体场110。此交流电流能被暂时打断一段时间(其足以维持衬底12和半导体靶104之间的等离子体场110)，以禁止溅射期间电弧形成。还一般提供了溅射系统，用于在从半导体靶104向衬底12上溅射薄膜期间的电弧防止。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 rf 溅射 薄膜 期间 电弧 防止 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种在从半导体靶向衬底上溅射薄膜期间电弧防止的方法，所述方法包括：从电源向所述半导体靶施加交流电流，以在所述衬底和所述半导体靶之间形成等离子体，其中，所述交流电流具有约500kHz 15MHz的频率；以及暂时打断从所述电源到所述半导体靶的所述交流电流一段时间，其足以禁止溅射期间的电弧形成并维持所述衬底和所述半导体靶之间的所述等离子体。
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