[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110190414.1 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102244175A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 林朝晖 | 申请（专利权）人： | 泉州市金太阳电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市鲤城区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，在衬底上表面依次形成n型GaN层、n型掺杂的AlGaN层、InGaN发光层、p型掺杂的AlGaN层、p型GaN层，以及在所述p型GaN层表面形成透明导电接触层，和在所述透明导电接触层表面形成p电极，所述衬底中具有接触孔，所述衬底的下表面具有金属电极层，所述金属电极层通过所述接触孔与所述n型GaN层连接作为n电极。本发明的发光二极管及其制造方法能够在使用蓝宝石作为衬底的前提下，极大地提高LED芯片的散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括衬底，在所述衬底上表面依次形成的n型GaN层、n型掺杂的AlGaN层、InGaN发光层、p型掺杂的AlGaN层、p型GaN层，以及在所述p型GaN层表面形成的透明导电接触层，和在所述透明导电接触层表面形成的p电极，其特征在于：所述衬底中具有接触孔，所述衬底的下表面具有金属电极层，所述金属电极层通过所述接触孔与所述n型GaN层连接作为n电极。
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