[发明专利]具有沟槽场板的高压双极型晶体管有效
| 申请号： | 201110190700.8 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102315250A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | C.卡道;N.克里施克;T.迈尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/72;H01L21/28;H01L21/331;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;李家麟 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及具有沟槽场板的高压双极型晶体管。一种双极型晶体管结构包括：半导体衬底上的外延层；在外延层中形成的双极型晶体管器件；以及在外延层中形成的沟槽结构，与双极型晶体管器件的至少两个相对的横向侧面相邻。该沟槽结构包括通过绝缘材料而与外延层隔开的场板。该双极型晶体管结构进一步包括：基极触点，连接到双极型晶体管器件的基极；发射极触点，连接到双极型晶体管器件的发射极并且与所述基极触点隔离；以及在发射极触点和场板之间的电气连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 高压 双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极型晶体管结构，包括：半导体衬底上的外延层；在所述外延层中形成的双极型晶体管器件；在所述外延层中形成的沟槽结构，与所述双极型晶体管器件的至少两个相对的横向侧面相邻，所述沟槽结构包括通过绝缘材料而与所述外延层隔开的场板；基极触点，连接到所述双极型晶体管器件的基极；发射极触点，连接到所述双极型晶体管器件的发射极并且与所述基极触点隔离；以及所述发射极触点和所述场板之间的电气连接。
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