[发明专利]可提升单晶硅太阳能电池效率的绿光激光脉冲形成硅晶片表面粗糙结构化的方法无效
申请号: | 201110190744.0 | 申请日: | 2011-07-08 |
公开(公告)号: | CN102861991A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 陈宏昌;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | B23K26/36 | 分类号: | B23K26/36;B23K26/16;H01L31/18 |
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地址: | 201707 上海市青*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种可提升单晶硅太阳能电池效率的绿光激光脉冲形成硅晶片表面粗糙结构化的方法。此技术包括单晶硅晶片、矽晶片载具、绿光脉冲型激光器、脉冲型激光器定位平台、粉尘排气孔、排气管路与帮浦,其方法系将硅晶片移动至硅晶片载具,绿光脉冲型激光器开启并在硅晶片上蚀刻出粗糙结构化的凹槽,接著绿光脉冲型激光器将硅晶片整面蚀刻完成,在过程中持续以帮浦系统将硅晶片粉尘去除。本发明可以绿光激光脉冲将单晶硅太阳电池表面粗糙结构化,藉此减少入射光的损失,提升单晶硅太阳能电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 提升 单晶硅 太阳能电池 效率 激光 脉冲 形成 晶片 表面 粗糙 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种可提升单晶硅太阳能电池效率的绿光激光脉冲形成硅晶片表面粗糙结构化的方法。此技术包括单晶硅晶片、矽晶片载具、绿光脉冲型激光器、脉冲型激光器定位平台、粉尘排气孔、排气管路与帮浦,其方法系将硅晶片移动至硅晶片载具,绿光脉冲型激光器开启并在硅晶片上蚀刻出粗糙结构化的凹槽,接著绿光脉冲型激光器将硅晶片整面蚀刻完成,在过程中持续以帮浦系统将硅晶片粉尘去除。本发明可以绿光激光脉冲将单晶硅太阳电池表面粗糙结构化,藉此减少入射光的损失,提升单晶硅太阳能电池的效率。
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