[发明专利]太阳能电池的结构制法无效

专利信息
申请号: 201110191002.X 申请日: 2011-07-08
公开(公告)号: CN102867882A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 李硕仁;陈贻和 申请(专利权)人: 元智大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 代理人: 钱凯
地址: 中国台湾桃*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种太阳能电池的结构制法,其包括下列步骤:金属箔层制作步骤:于一基材上形成一金属箔层;蚀刻步骤:于金属箔层的预定位置上进行蚀刻,形成数个金属箔层凹槽;太阳能光伏层制作步骤:于金属箔层上形成一太阳能光伏层;第一激光切割步骤:以激光切割出数个太阳能光伏层凹槽;每一太阳能光伏层凹槽完全截断该太阳能光伏层,具有一第二宽度;透明导电层制作步骤:于该太阳能光伏层上形成一透明导电层;第二激光切割步骤:以激光切割出数个凹槽后,即完成一太阳能电池的结构。本发明具有提高转换效率的优点及功效。
搜索关键词: 太阳能电池 结构 制法
【主权项】:
一种太阳能电池的结构制法,其特征在于,包括下列步骤:[1]金属箔层制作步骤:于一基材上形成一金属箔层;[2]蚀刻步骤:于该金属箔层的预定位置上进行蚀刻,形成数个金属箔层凹槽;又,每一金属箔层凹槽完全截断该金属箔层,且具有一第一宽度,该第一宽度介于10μm至30μm之间;[3]太阳能光伏层制作步骤:于该金属箔层上形成一太阳能光伏层;[4]第一激光切割步骤:以激光切割出数个太阳能光伏层凹槽;每一太阳能光伏层凹槽完全截断该太阳能光伏层,且具有一第二宽度,该第二宽度介于10μm至50μm之间;[5]透明导电层制作步骤:于该太阳能光伏层上形成一透明导电层;[6]第二激光切割步骤:以激光切割出数个凹槽后,即完成一太阳能电池的结构;又,每一凹槽完全截断该透明导电层及该太阳能光伏层,且具有一第三宽度,该第三宽度介于10μm至50μm之间。
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