[发明专利]太阳能电池的结构制法无效
申请号: | 201110191002.X | 申请日: | 2011-07-08 |
公开(公告)号: | CN102867882A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 李硕仁;陈贻和 | 申请(专利权)人: | 元智大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人: | 钱凯 |
地址: | 中国台湾桃*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种太阳能电池的结构制法,其包括下列步骤:金属箔层制作步骤:于一基材上形成一金属箔层;蚀刻步骤:于金属箔层的预定位置上进行蚀刻,形成数个金属箔层凹槽;太阳能光伏层制作步骤:于金属箔层上形成一太阳能光伏层;第一激光切割步骤:以激光切割出数个太阳能光伏层凹槽;每一太阳能光伏层凹槽完全截断该太阳能光伏层,具有一第二宽度;透明导电层制作步骤:于该太阳能光伏层上形成一透明导电层;第二激光切割步骤:以激光切割出数个凹槽后,即完成一太阳能电池的结构。本发明具有提高转换效率的优点及功效。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 结构 制法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的结构制法,其特征在于,包括下列步骤:[1]金属箔层制作步骤:于一基材上形成一金属箔层;[2]蚀刻步骤:于该金属箔层的预定位置上进行蚀刻,形成数个金属箔层凹槽;又,每一金属箔层凹槽完全截断该金属箔层,且具有一第一宽度,该第一宽度介于10μm至30μm之间;[3]太阳能光伏层制作步骤:于该金属箔层上形成一太阳能光伏层;[4]第一激光切割步骤:以激光切割出数个太阳能光伏层凹槽;每一太阳能光伏层凹槽完全截断该太阳能光伏层,且具有一第二宽度,该第二宽度介于10μm至50μm之间;[5]透明导电层制作步骤:于该太阳能光伏层上形成一透明导电层;[6]第二激光切割步骤:以激光切割出数个凹槽后,即完成一太阳能电池的结构;又,每一凹槽完全截断该透明导电层及该太阳能光伏层,且具有一第三宽度,该第三宽度介于10μm至50μm之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于元智大学,未经元智大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110191002.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:农用多功能转运挂车
- 下一篇:起重机及其自动对中转向系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的