[发明专利]基于碲化镉的薄膜光伏装置的作为前接触的金属网格线有效
申请号: | 201110191540.9 | 申请日: | 2011-06-29 |
公开(公告)号: | CN102315287A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | S·D·费尔德曼-皮博迪 | 申请(专利权)人: | 初星太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 柯广华;朱海煜 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一般描述了基于碲化镉的薄膜光伏装置。该装置可以包括在衬底上的透明导电氧化物层。多个金属网格线可以直接接触透明导电氧化物层,并且可以取向在第一方向上。硫化镉层可以被包括在透明导电氧化物层上,并且碲化镉层可以被包括在硫化镉层上。多个划刻线可以被限定为通过硫化镉层与碲化镉层的厚度以限定多个光伏电池,使得多个划刻线取向在与第一方向相交的第二方向上。 | ||
搜索关键词: | 基于 碲化镉 薄膜 装置 作为 接触 金属 网格线 | ||
【主权项】:
一种基于碲化镉的薄膜光伏装置(10),其包括:衬底(12);透明导电氧化物层(14),其在所述衬底(12)上;多个金属网格线(15),其直接接触所述透明导电氧化物层(14),其中所述多个金属网格线(15)取向在第一方向上;硫化镉层(18),其在所述透明导电氧化物层(14)上;以及碲化镉层(20),其在所述硫化镉层(18)上;其中多个划刻线被限定为通过所述硫化镉层(18)与所述碲化镉层(20)的厚度以限定多个光伏电池,使得所述多个划刻线取向在与所述第一方向相交的第二方向上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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