[发明专利]一种十字形CMOS集成霍尔磁传感器的电路仿真模型有效
| 申请号： | 201110191728.3 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102236736A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 徐跃;赵菲菲;吴金山;吴佩莉;何迟;王凱玄 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种结构简单、精度高、能在通用的电子电路仿真器上进行模拟的十字形CMOS集成霍尔磁传感器的电路仿真模型。由12个非线性N阱电阻、8个PN结结电容和4个受电流控制的电压源构成中心对称的结构网络；将十字形器件分为一个中心区域和四个叉指区域，中心区域的有源区用RH-RD-CB网络表示，叉指区域的有源区用RF-CF网络表示；该模型几乎考虑了霍尔传感器的所有物理与几何效应，能模拟霍尔传感器的各种直流、交流和瞬态特性，适合在实际含有霍尔器件的工程电路中应用，进行大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 十字形 cmos 集成 霍尔 传感器 电路 仿真 模型 | ||
【主权项】：
1.一种十字形CMOS集成霍尔磁传感器的电路仿真模型，其特征是：由12个非线性N阱电阻、8个PN结结电容和4个受电流控制的电压源构成中心对称的结构网络；将十字形器件分为一个中心区域和四个叉指区域，中心区域的有源区用RH--RD--CB--VH/2网络表示，叉指区域的有源区用RF--CF网络表示；中心区域共包括4个内层十字电阻(RD1～RD4)，4个外层桥臂电阻(RH1～RH4)；其中4个内层十字电阻(RD1～RD4)的一端连接在一起构成十字中心端，相邻两个内层十字电阻的另一端之间连接一个外层桥臂电阻，构成呈十字对称的RH--RD网络；其各端口与该模型外端的接触端口之间分别连接一个叉指电阻![]()
4个中心电容(CB)分别位于RH--RD网络的端口与地之间；4个叉指处各用一个叉指电阻(RF)与一个受电流信号控制的电压源(VH/2)相串联，串联后的两端分别接RH--RD网络的一端口和该模型电路外端的接触端口；4个叉指电容(CF)分别位于该模型外端的接触端口与地之间；4个受电流控制的霍尔电压源(VH/2)位于中心RH--RD--CB网络与叉指RF--CF网络之间。
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