[发明专利]制备半导体和热塑性有机物复合微纳结构的方法无效
| 申请号： | 201110192059.1 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102289147A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李志远;秦飞;蒙自明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备半导体和热塑性有机物复合微纳结构的方法，主要步骤如下：1)应用电子束曝光技术+电感耦合等离子刻蚀技术在半导体材料上制备出微纳结构模版；2)在另外一块半导体基片上均匀涂敷一层待压印复合的有机物材料；3)用纳米压印的方式把半导体基片上的有机物材料转移到微纳结构模版上并填充模版的结构孔隙，制得所需的复合微纳结构。本发明利用纳米压印的技术，把半导体纳米结构和有机物材料复合在一起，相比其他方法具有复合效果好，重复性高，通过调节温度和压力可适用于多种材料的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 塑性 有机物 复合 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制备半导体和热塑性有机物复合微纳结构的方法，主要步骤如下：1)应用电子束曝光技术+电感耦合等离子刻蚀技术在半导体基片上制备出微纳结构模版；2)在另外一块半导体基片上均匀涂敷一层待压印复合的有机物材料；3)用纳米压印的方式把半导体基片上的有机物材料转移到微纳结构模版上并填充模版的结构孔隙，制得所需的复合微纳结构。
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