[发明专利]功率半导体器件有效
| 申请号： | 201110192302.X | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315257A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | F·鲍尔 | 申请（专利权）人： | ABB研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/74 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汤春龙;朱海煜 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 双极功率半导体器件(1)在发射极侧(12)上提供有发射极电极(11)并在集电极侧(16)上提供有集电极电极(15)。该器件具有沟槽栅极电极(2)以及具有如下顺序的不同导电类型的多个层的结构：至少一个n掺杂源极区(3)、围绕至少一个源极区(3)的p掺杂基极层(4)、n掺杂增强层(5)、p掺杂附加阱层(62)、附加n掺杂增强层(52)、附加p掺杂阱层(62)、n掺杂漂移层(7)和p掺杂集电极层(8)。沟槽栅极电极(2)具有栅极底部(211)，其定位成比附加增强层底部(531)更靠近集电极侧(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
双极功率半导体器件(1)，所述双极功率半导体器件具有布置在发射极侧(12)上的发射极电极(11)以及布置在集电极侧(16)上的集电极电极(15)，所述集电极侧(16)位于所述发射极侧(12)对面，所述器件具有沟槽栅极电极(2)以及带有不同导电类型的多个层的结构，所述沟槽栅极电极(2)和层布置在与所述发射极侧(12)平行的平面中，每个都包括底部，所述底部布置在所述栅极电极(2)或所述层延伸到的、距所述发射极侧(12)的最大距离中，所述双极功率半导体器件包括： 第一导电类型的至少一个源极区(3)，其布置在所述发射极侧(12)上并且其接触所述发射极电极(11)， 第二导电类型的基极层(4)，其布置在所述发射极侧(12)上，围绕所述至少一个源极区(3)并且接触所述发射极电极(11)和所述至少一个源极区(3)， 所述第二导电类型的集电极层(8)，其布置在所述集电极侧(16)上并且其接触所述集电极电极(15)， 所述第一导电类型的漂移层(7)，其布置在所述基极层(4)与所述集电极层(8)之间， 所述沟槽栅极电极(2)，其布置在与所述基极层(4)相同的平面中，所述沟槽栅极电极(2)通过绝缘层(25)与所述源极区(3)、所述基极层(4)和所述漂移层(7)电绝缘，并且所述沟槽栅极电极(2)包括栅极底部(211)， 所述第一导电类型的增强层(5)和所述第二导电类型的阱层(6)，它们布置在所述基极层(4)与所述漂移层(7)之间，其中所述增强层(5)朝所述集电极侧(16)毗连所述基极层(4)，并且其中所述阱层(6)朝所述集电极侧(16)毗连所述增强层(5)，其特征在于：所述器件(1)还包括： 所述第二导电类型的附加阱层(62)，其朝所述发射极侧(12)毗连所述漂移层(7)，以及 所述第一导电类型的附加增强层(52)，其朝所述发射极侧(12)毗连所述附加阱层(62)并且其延伸到附加增强层底部(531)，并且在于：所述栅极底部(211)定位成比所述附加增强层底部(531)更靠近所述集电极侧(16)。
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