[发明专利]一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置及方法无效
| 申请号： | 201110193065.9 | 申请日： | 2011-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102251224A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 肖金泉;张露;石南林;宫骏;孙超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C22C47/04;C22C121/02 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术，具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置及方法，一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜；一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题，实现沉积过程的连续性和稳定性。该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室，工件转架置于磁控溅射真空室中，靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中，中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶材I相接，中频脉冲磁控溅射电源的阳极与靶材II相接。本发明通过调节磁控溅射装置中真空室内的气体流量、反应气体种类、溅射时间等，实现在连续SiC纤维表面沉积不同种类和不同厚度的金属或化合物薄膜，对SiC纤维进行表面改性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 纤维 表面 沉积 薄膜 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置，其特征在于，该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室，工件转架置于磁控溅射真空室中，靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中，中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶材I相接，中频脉冲磁控溅射电源的阳极与靶材II相接。
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