[发明专利]超低介电常数层的制作方法有效
| 申请号： | 201110193916.X | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102881584A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超低介电常数层的制作方法，该方法包括：在硅片的金属层上沉积低介电常数层，采用光刻方式在所述低介电常数层上形成具有沟槽和通孔的图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述低介电常数层，形成沟槽和通孔；湿法清洗去除光刻胶层后，在沟槽和通孔沉积金属后，抛光金属至所述低介电常数层表面，在所述低介电常数层中形成金属连线；对所述低介电常数层采用紫外光照射，形成超低介电常数层。本发明可以防止所制作的超低介电常数层中的介电常数材料的迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超低介电常数层的制作方法，该方法包括：在硅片的金属层上沉积低介电常数层，采用光刻方式在所述低介电常数层上形成具有沟槽和通孔的图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述低介电常数层，形成沟槽和通孔；湿法清洗去除光刻胶层后，在沟槽和通孔沉积金属后，抛光金属至所述低介电常数层表面，在所述低介电常数层中形成金属连线；对所述低介电常数层采用紫外光照射，形成超低介电常数层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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