[发明专利]具有MIM电容器的半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110193949.4 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102339869A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 赵振衍;姜永守;具尚根 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;刘灿强 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括：下电极，形成在基板上；介电层，包括形成在下电极上的蚀刻的介电区域和照常生长的介电区域；上电极，形成在照常生长的介电区域上；硬掩模，形成在上电极上；分隔件，形成在硬掩模和上电极的侧表面处以及蚀刻的介电区域上方；缓冲绝缘层，形成在硬掩模和分隔件上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 mim 电容器 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，所述半导体装置包括：下电极，形成在基板上；介电层，包括形成在下电极上的蚀刻的介电区域和照常生长的介电区域；上电极，形成在照常生长的介电区域上；硬掩模，形成在上电极上；分隔件，形成在硬掩模的侧表面和上电极的侧表面处以及蚀刻的介电区域上方；缓冲绝缘层，形成在硬掩模和分隔件上。
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