[发明专利]一种氧化亚铜薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201110194121.0 | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102254950A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 姚建可;张盛东 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/26;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Cu2O薄膜晶体管，该Cu2O薄膜晶体管的绝缘层和/或保护层为Cu3N薄膜。Cu3N薄膜是非晶结构且具有良好的绝缘性能。且与Cu2O薄膜相比，Cu3N薄膜结构致密和疏水或氧，用Cu3N薄膜作为Cu2O沟道的保护层，将减少薄膜对环境中的水或氧气的吸收，而改善薄膜晶体管的环境和电致偏应力稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化亚铜 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Cu2O薄膜晶体管，其特征在于：该Cu2O薄膜晶体管的绝缘层和/或保护层为Cu3N薄膜。
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