[发明专利]一种改进源漏掺杂离子注入方式的方法

摘要

本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种改进源漏掺杂离子注入方式的方法。本发明提出一种改进源漏掺杂离子注入方式的方法，根据栅极侧墙在制程中的损耗，通过改变源漏掺杂的入射角度及相应改变漏源掺杂时注入的能量和浓度，从而在保持原有掺杂区域轮廓的情况下，补偿了由于侧墙损耗所引起的结漏电增加。

主权项

一种在制备集成电路过程中改进源漏掺杂离子注入方式的方法，其中，在一衬底中形成的阱区的上方设置有栅氧化层和位于栅氧化层上方的栅极，并且在栅极的侧壁上依次覆盖有偏移侧墙和侧墙隔离结构，所述偏移侧墙和侧墙隔离结构还同时覆盖在栅氧化层的侧壁上，其特征在于，包括如下步骤：在所述阱区中进行倾斜离子注入，以分别形成重掺杂的漏极、源极掺杂区，漏极掺杂区具有横向延伸至侧墙隔离结构下方的重掺杂的漏极横向扩散区，以及源极掺杂区具有横向延伸至侧墙隔离结构下方的源极横向扩散区；之后沉积一层金属层覆盖在漏极、源极掺杂区上并进行快速热合金处理，以形成分别接触漏极、源极掺杂区的金属硅化物；其中，漏极横向扩散区用于将接触漏极掺杂区的金属硅化物与阱区间隔开、源极横向扩散区用于将接触源极掺杂区的金属硅化物与阱区间隔开。