[发明专利]具有含钴的侧壁保护层的铜柱有效
| 申请号： | 201110194230.2 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102456651A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 黄见翎;林正怡;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种集成电路器件，包括铜柱和叠加在铜柱上的焊料层。形成含钴金属化层以覆盖铜柱和焊料层，然后执行热回流工艺以形成焊接凸块并且驱使钴元素进入焊接凸块中。接下来，执行氧化工艺以在铜柱的侧壁表面上形成钴氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 侧壁 保护层 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：半导体衬底；凸块下金属(UBM)层，叠加在所述半导体衬底上；在所述UBM层上的导电柱；以及钴氧化层，在所述导电柱的侧壁表面上。
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