[发明专利]等离子体处理方法以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110194328.8 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102315095A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 田原慈;西村荣一;山下扶美子;富田宽;大岩德久;大口寿史;大村光广 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理方法以及半导体装置的制造方法，能够抑制由侧面蚀刻而引起的图案变细的问题并且通过干燥处理来高效率地去除含有堆积在图案侧壁的金属的堆积物。该等离子处理方法经过对形成在基板上的金属层进行等离子体蚀刻的工序来形成层叠结构中具有金属层的图案之后，去除含有构成金属层的金属的图案并在侧壁部堆积的堆积物，具备以下工序：保护层形成工序，在金属层的侧壁部形成该金属的氧化物或者氯化物；堆积物去除工序，使含有氟原子的气体的等离子体发生作用来去除堆积物；以及还原工序，在保护层形成工序和堆积物去除工序之后，使含有氢的等离子体发生作用来还原金属的氧化物或者氯化物。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 以及 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理方法，经过对形成在基板上的金属层进行等离子体蚀刻的工序来形成层叠结构中具有上述金属层的图案之后，去除含有构成上述金属层的金属并在上述图案的侧壁部堆积的堆积物，该等离子体处理方法的特征在于，具备以下工序：保护层形成工序，在上述金属层的侧壁部形成上述金属的氧化物或者氯化物；堆积物去除工序，使含有氟原子的气体的等离子体发生作用来去除上述堆积物；以及还原工序，在上述保护层形成工序和上述堆积物去除工序之后，使含有氢的等离子体发生作用来还原上述金属的氧化物或者氯化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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