[发明专利]金氧半场效晶体管布局结构无效
| 申请号： | 201110194816.9 | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102760766A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 庄家硕;赖宜贤;吴美珍 | 申请（专利权）人： | 创杰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健;王俊民 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金氧半场效晶体管布局结构。该布局结构中使用一具有正十字图案的共漏极区与至少两个具有格子图案的共漏极区、一具有正十字图案的共源极区与至少两个具有格子图案的共源极区所形成的一具有正十字图案共漏极区与正十字图案共源极的混成式数组，可提升传统布局电路的组件密度及提升其有效信道宽度的优点，以达降低成本及更高功率操作的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 半场 晶体管 布局 结构 | ||
【主权项】：
一种金氧半场效晶体管布局结构，其特征在于，包含：一基板；一具有正十字图案的共漏极区，形成于该基板上；至少两个具有格子图案的共源极区，配置于该具有正十字图案的共漏极区的四个角落，形成于该基板上；一具有正十字图案的共源极区，形成于该基板上；至少两个具有格子图案的共漏极区，配置于该具有正十字图案的共漏极区的四个角落，形成于该基板上；以及至少两个共栅极区，配置于该具有正十字图案的共漏极区与至少两个具有格子图案的共源极区、该具有正十字图案的共源极区与该至少两个具有格子图案的共漏极区以及该至少两个具有格子图案的共漏极区与该至少两个具有格子图案的共源极区之间，形成于该基板上；其中该具有正十字图案的共漏极区、该至少两个具有格子图案的共源极区与该至少两个共栅极区可形成一具有正十字图案共漏极区的网格，且该具有正十字图案的共源极区、该至少两个具有格子图案的共漏极区与该至少两个共栅极区可形成一具有正十字图案共源极区的网格。
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