[发明专利]带有部分密封壳体的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110194994.1 | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102275867A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张挺;张艳红;杨海波;马清杰;谢志峰;邵凯 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有部分密封壳体的半导体器件的制造方法，包括步骤：提供覆盖基底，在覆盖基底的正面形成正面凹坑；在覆盖基底的正面淀积停止材料，形成刻蚀停止层；刻蚀覆盖基底上部分正面凹坑的正对背面，直至露出刻蚀停止层，在覆盖基底的背面形成背面凹坑；提供器件基底，其上形成有半导体器件；将覆盖基底与器件基底正面对接并固定，在器件基底上方形成部分密封壳体。相应地，本发明还提供一种带有部分密封壳体的半导体器件。本发明的制造方法属正面加工工艺，与CMOS制造工艺兼容。在器件基底的对接覆盖时，采用的工艺温度低于400度，并且形成部分密封壳体后基底的总厚度显著减薄。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 部分 密封 壳体 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种带有部分密封壳体的半导体器件的制造方法，包括步骤：提供覆盖基底，在所述覆盖基底的正面形成正面凹坑；在所述覆盖基底的正面淀积停止材料，形成刻蚀停止层；刻蚀所述覆盖基底上部分正面凹坑的正对背面，直至露出所述刻蚀停止层，在所述覆盖基底的背面形成背面凹坑；提供器件基底，其上形成有半导体器件；将所述覆盖基底与所述器件基底正面对接并固定，在所述器件基底上方形成部分密封壳体。
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