[发明专利]一种硒薄膜沉积方法及系统及其等离子头无效
| 申请号： | 201110195062.9 | 申请日： | 2011-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102816999A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 刘志宏;杨国辉;蔡陈德;张瀛方;周大鑫 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硒薄膜沉积方法及系统及其等离子头，所述硒薄膜沉积方法包括以下步骤：首先，提供等离子头；接着，于常压下承载基板；之后，通过等离子头将固态硒源游离化，以沉积硒薄膜于基板上；其中等离子头包括等离子腔体、壳体以及固态硒源，等离子腔体产生等离子，而壳体包围等离子腔体，且承载固态硒源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 沉积 方法 系统 及其 等离子 | ||
【主权项】：
一种硒薄膜沉积方法，其特征在于，包括：提供一等离子头；于常压下承载一基板；以及通过该等离子头将固态硒源游离化，以沉积硒薄膜于该基板上。
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