[发明专利]衬底加工装置和加热设备有效
| 申请号： | 201110195218.3 | 申请日： | 2011-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102315102A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 村田等;小杉哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郑菊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及衬底加工装置和加热设备。一种衬底加工装置包括：加热部分，包括圆柱体成形的绝热体和在绝热体的内圆周表面上布置的加热线；绝热部分，配置成在加热部分与绝热部分之间限定圆柱体空间；冷却气体引入部分，耦合到圆柱体空间并且设置在绝热部分之上以包围加热部分；以及冷却气体排放部分，设置在与冷却气体引入部分的高度近似相同的高度处从冷却气体引入部分的近似中心在直径方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 加工 装置 加热 设备 | ||
【主权项】：
一种衬底加工装置，包括：加热部分，包括圆柱体成形的绝热体和在所述绝热体的内圆周表面上布置的加热线；绝热部分，配置成在所述加热部分与所述绝热部分之间限定圆柱体空间；冷却气体引入部分，耦合到所述圆柱体空间并且设置在所述绝热部分之上以包围所述加热部分；以及冷却气体排放部分，设置在与所述冷却气体引入部分的高度近似相同的高度处从所述冷却气体引入部分的近似中心在直径方向上延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
