[发明专利]一种氮化镓发光二极管的制作方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓发光二极管的制作方法，通过两次外延生长，在氮化镓发光二极管芯片内部结构中置入倒六角锥粗化外延层带。一次外延生长可粗化层作为粗化介质，通过位于芯片内部的侧向蚀刻沟道，湿法蚀刻可以将靠近侧向蚀刻沟道的可粗化层边缘部分蚀刻成倒六角锥状形貌带，然后再通过二次外延生长发光层以及制作电极，使得每个发光芯片内部拥有一个或者数个倒六角锥形貌带。这样可在原有切割道倒六角锥粗化的基础上更进一步的扩大粗化区域面积，更大程度上提高取光效率。

主权项

一种氮化镓发光二极管的制作方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长一可粗化层，其材料为氮化镓基化合物，并且其与蓝宝石衬底接触的一侧呈氮极性；蚀刻部分区域的可粗化层至露出蓝宝石衬底，以形成多个侧向蚀刻沟道；采用湿法方式将靠近侧向蚀刻沟道的可粗化层边缘的下表面蚀刻成倒六角锥状；在可粗化层上继续生长发光外延层，并且发光外延层横向填平侧向蚀刻沟道；电极化发光外延层并分离成多个发光芯粒，并且每个发光芯粒内部至少包含一段侧向蚀刻沟道。