[发明专利]基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极无效
| 申请号： | 201110195907.4 | 申请日： | 2011-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102280343A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 杜晓晴;童广 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01J40/06 | 分类号： | H01J40/06 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 张先芸 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极，该阴极自下而上由蓝宝石衬底、AlN/AlxGa1-xN缓冲层、p型GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层组成；蓝宝石衬底的上表面均布设有m个凹孔Ⅰ，102≤m≤104，蓝宝石衬底的下表面均布设有n个凹孔Ⅱ，102≤n≤104。本发明采用双面凹孔图形结构提高蓝宝石衬底对紫外光的透射率，并增加蓝宝石衬底的生长应力作用范围，以提高缓冲层及GaN外延层质量，从而使GaN阴极获得较高的量子转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 双面 图形 衬底 透射 gan 紫外 光电 阴极 | ||
【主权项】：
一种基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极，其特征在于：该阴极自下而上由蓝宝石衬底（1）、AlN或AlxGa1‑x N缓冲层（2）、p型GaN光电发射层（3）以及Cs或Cs/O 激活层（4）组成；所述蓝宝石衬底（1）的上表面均布设有m个凹孔Ⅰ（5），102≤m≤104，蓝宝石衬底（1）的下表面均布设有n个凹孔Ⅱ（6），102≤n≤104。
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