[发明专利]半导体集成电路装置无效
申请号: | 201110196293.1 | 申请日: | 2011-07-12 |
公开(公告)号: | CN102376704A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 井上文裕 | 申请(专利权)人: | 三美电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;郭凤麟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种半导体集成电路装置,其充分抑制从数字电路向模拟电路的噪声混入。该半导体集成电路装置,分离为形成数字电路的数字电路区域和形成模拟电路的模拟电路区域,将模拟电路区域分离为形成模拟电路的有源元件的有源元件区域和形成模拟电路的无源元件的无源元件区域,将无源元件区域配置在与数字电路区域相邻的区域中,将有源元件区域配置在远离数字电路区域的区域中,在该半导体集成电路装置中,在无源元件区域的半导体衬底中形成与半导体衬底的导电型不同的第一导电型的第一阱,在第一阱内形成与第一阱的第一导电型不同的第二导电型的第二阱,在第二阱上隔着元件隔离膜布设了无源元件。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体集成电路装置,其在一个半导体衬底上形成有数字电路和模拟电路,分离为形成所述数字电路的数字电路区域和形成模拟电路的模拟电路区域,将所述模拟电路区域分离为形成所述模拟电路的有源元件的有源元件区域和形成所述模拟电路的无源元件的无源元件区域,将所述无源元件区域配置在与所述数字电路区域相邻的区域中,将所述有源元件区域配置在远离所述数字电路区域的区域中,该半导体集成电路装置的特征在于,在所述无源元件区域的半导体衬底中形成与所述半导体衬底的导电型不同的第一导电型的第一阱,在所述第一阱内形成与所述第一阱的第一导电型不同的第二导电型的第二阱,在所述第二阱上隔着元件隔离膜布设了无源元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的