[发明专利]半导体集成电路装置无效

专利信息
申请号: 201110196293.1 申请日: 2011-07-12
公开(公告)号: CN102376704A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 井上文裕 申请(专利权)人: 三美电机株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;郭凤麟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的在于提供一种半导体集成电路装置,其充分抑制从数字电路向模拟电路的噪声混入。该半导体集成电路装置,分离为形成数字电路的数字电路区域和形成模拟电路的模拟电路区域,将模拟电路区域分离为形成模拟电路的有源元件的有源元件区域和形成模拟电路的无源元件的无源元件区域,将无源元件区域配置在与数字电路区域相邻的区域中,将有源元件区域配置在远离数字电路区域的区域中,在该半导体集成电路装置中,在无源元件区域的半导体衬底中形成与半导体衬底的导电型不同的第一导电型的第一阱,在第一阱内形成与第一阱的第一导电型不同的第二导电型的第二阱,在第二阱上隔着元件隔离膜布设了无源元件。
搜索关键词: 半导体 集成电路 装置
【主权项】:
一种半导体集成电路装置,其在一个半导体衬底上形成有数字电路和模拟电路,分离为形成所述数字电路的数字电路区域和形成模拟电路的模拟电路区域,将所述模拟电路区域分离为形成所述模拟电路的有源元件的有源元件区域和形成所述模拟电路的无源元件的无源元件区域,将所述无源元件区域配置在与所述数字电路区域相邻的区域中,将所述有源元件区域配置在远离所述数字电路区域的区域中,该半导体集成电路装置的特征在于,在所述无源元件区域的半导体衬底中形成与所述半导体衬底的导电型不同的第一导电型的第一阱,在所述第一阱内形成与所述第一阱的第一导电型不同的第二导电型的第二阱,在所述第二阱上隔着元件隔离膜布设了无源元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三美电机株式会社,未经三美电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110196293.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top