[发明专利]半导体装置的脉冲式蚀刻方法及系统

摘要

本发明公开一种半导体装置的脉冲式蚀刻方法及系统，方法包括：提供一半导体基板，其中一金属层设置于该半导体基板上，且一硬式掩模涂敷于该金属层之上；将该半导体基板插入一处理腔内；导引多种蚀刻气体进入该处理腔内，包括选自碳、氢及氟三种元素的至少两种元素的一沉积气体添加入该些蚀刻气体中，而该些蚀刻气体选自氯气、三氯化硼气体、溴化氢气体及其混合的气体；施加一脉冲调变的高频电压于一对电极之间，该对电极设于处理腔中，并相互地相对设置以固持该半导体基板，使得高频电压经由开启及关闭来建立占空比；产生介于该对电极之间的一等离子体；利用该等离子体来蚀刻该半导体基板，以减少侧向蚀刻、沟壁内凹及反应性离子蚀刻延迟。

主权项

一种半导体装置的脉冲式蚀刻系统(1)，其特征在于，包括：一处理腔(10)，包括：一顶壁(101)及相对应该顶壁(101)设置的一底壁(102)；一排气孔(11)，设置于该底壁(102)之下；一真空设定阀(12)，控制该排气孔(11)来维持一真空气压；一对相对应的电极(13)，分别设置于该顶壁(101)及该底壁(102)；及多个进气孔(14)，设置于位于该顶壁(101)的该电极(13)内，其中该些进气孔(14)导引一蚀刻气体进入介于该顶壁(101)及该底壁(102)之间的一空间；至少一气流控制器(20)，经配置以控制该蚀刻气体的流动速率；以及一高频电源模块(30)，经配置以施加一高频电压于该些电极(13)之间，使得该高频电压经由开启及关闭而产生一占空比。