[发明专利]一种具有布拉格结构包层单晶光纤及制备方法无效
| 申请号： | 201110196811.X | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102253445A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 娄淑琴;鹿文亮;王立文;陈卫国;邹辉 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G02B6/036 |
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| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有布拉格结构包层单晶光纤及制备方法，属于特种光纤领域，特别涉及单晶光纤的包层结构设计。提出一种具有阶跃折射率包层的单晶光纤，并介绍了其制备方法。该单晶光纤包括单晶纤芯(1)和围绕在单晶纤芯周围的，两种不同折射率的材料层(2、3)沿径向交替分布构成的布拉格结构包层，两种材料层各10～20层。该光纤制备方法的特点是使用MCVD法交替沉积两种不同折射率材料，形成高、低折射率层沿径向交替分布的结构。通过加热拉伸，使交替分布结构缩小，最终裹住单晶纤芯，形成布拉格结构包层。该光纤具有阶跃折射率包层，对光的束缚能力强，损耗小。使用该方法可以为不同材料单晶光纤制备阶跃折射率包层，扩展了各种不同材料单晶光纤的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 布拉格 结构 包层 光纤 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有布拉格结构包层单晶光纤，其特征在于：该单晶光纤包括单晶纤芯(1)和围绕在单晶纤芯周围的，两种不同折射率的材料层沿径向交替分布构成的布拉格结构包层，两种材料层各10～20层。
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