[发明专利]非易失性存储元件和包括其的存储装置有效
| 申请号： | 201110197102.3 | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102347443B | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李东洙;张晚;金英培;李明宰;李昌范;李承烈;金昌桢;许智贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;王青芝 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 示例实施例涉及一种非易失性存储元件和一种包括其的存储装置。非易失性存储元件可包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可包括第一材料层和第二材料层，并可由于在第一材料层和第二材料层之间离子物种的移动而显示出电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层。第二材料层可以是具有多重陷阱能级的氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 元件 包括 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储元件，所述非易失性存储元件包括：第一电极；第二电极；存储层，设置在第一电极和第二电极之间，其中，存储层包括供氧层和氧化物层，氧化物层具有多个陷阱能级，存储层具有电阻变化特性，其中，氧化物层的氧浓度沿氧化物层的厚度方向逐渐地或区域性地改变，使得氧化物层的氧浓度随着与第二电极靠近而增大。
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