[发明专利]形成键合半导体结构的方法及该方法形成的半导体结构

摘要

本发明涉及形成键合半导体结构的方法及该方法形成的半导体结构。形成键合半导体结构的方法包括以下步骤：将半导体结构临时地直接键合在一起；使这些半导体结构中的至少一个变薄；以及随后将变薄的半导体结构永久地键合到另一个半导体结构。在不使用粘合剂的情况下，可以建立临时的直接键合。根据这样的方法制造键合半导体结构。

主权项

一种形成键合半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：通过在第一半导体结构的键合表面和第二半导体结构的键合表面之间提供直接原子键合或直接分子键合，将所述第一半导体结构临时键合到所述第二半导体结构；将所述第一半导体结构选择为具有位于所述第一半导体结构的第一侧的有效面和位于所述第一半导体结构的相反的第二侧的背面，并且将所述第一半导体结构选择为包括在基片上形成的至少一个器件结构；通过从所述第一半导体结构的所述背面去除所述基片的材料，使所述第一半导体结构的所述基片变薄；在使所述第一半导体结构的所述基片变薄后，将所述第一半导体结构的所述背面永久键合到第三半导体结构的表面，同时使所述第一半导体结构保持临时键合到所述第二半导体结构；以及将所述第二半导体结构与所述第一半导体结构分开。