[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110198444.7 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102881800A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 林新强;陈滨全 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层。所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接。反射杯环设于发光二极管芯片的外围，封装层封装发光二极管芯片于其内部，还包括一阻挡结构，该阻挡结构位于所述反射杯内部，该阻挡结构贯穿反射杯底面与电极接触，并向上延伸至与反射杯顶面平齐，该阻挡结构对金属的附着力大于反射杯对金属的附着力。本发明还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层，所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，反射杯环设于发光二极管芯片的外围，封装层封装发光二极管芯片于其内部，其特征在于：还包括一阻挡结构，该阻挡结构位于所述反射杯内部，该阻挡结构贯穿反射杯底面与电极接触，并向上延伸至与反射杯顶面平齐，该阻挡结构对金属的附着力大于反射杯对金属的附着力。
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