[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110198492.6 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102881626A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制造方法，所述浅沟槽隔离结构中远离隔离槽开口的隔离槽下部的形状为球形，即浅沟槽隔离结构的边角比较圆滑，由此将避免产生漏电及击穿的问题，提高产品可靠性。此外，由于隔离槽下部的形状为球形，在隔离槽同样深的情况下，本发明提供的浅沟槽隔离结构使得其两侧的电子之间距离更远，电子移转的路径更长，由此，可有效避免浅沟槽隔离结构两侧的电子移转。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：隔离槽，其包括接近隔离槽开口的隔离槽上部以及远离隔离槽开口的隔离槽下部，所述隔离槽下部的形状为球形；形成于所述隔离槽内的填充物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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