[发明专利]发光二极管封装结构的制造方法无效
申请号: | 201110198809.6 | 申请日: | 2011-07-15 |
公开(公告)号: | CN102881779A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 陈滨全 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管封装结构的制造方法,包括提供一基板;铺设一粘贴层于该基板上;形成若干对金属层于粘贴层上;于粘贴层上形成反射层,该反射层设有若干凹槽以分别环绕每一对金属层,该粘贴层对基板的结合力大于该粘贴层对反射层的结合力;将发光二极管芯片分别置于凹槽内,且与凹槽内对应的金属层形成电连接;形成封装层于凹槽内,以覆盖发光二极管芯片于封装层以内;将所述基板连同粘贴层与位于该粘贴层上的所述反射层和金属层分离。从而形成无基板的发光二极管封装结构,减小发光二极管封装结构的厚度,实现薄型化结构。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:提供一基板;铺设一粘贴层于该基板上;形成若干对金属层于粘贴层上;于粘贴层上形成反射层,该反射层设有若干凹槽以分别环绕每一对金属层,该粘贴层对基板的结合力大于该粘贴层对反射层的结合力;将发光二极管芯片分别置于凹槽内,且与凹槽内对应的金属层形成电连接;形成封装层于凹槽内,以覆盖发光二极管芯片于封装层以内;将所述基板连同粘贴层与位于该粘贴层上的所述反射层和金属层分离。
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