[发明专利]一种线性补偿的宽带自偏置达林顿线性放大器电路无效
| 申请号： | 201110199055.6 | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102324898A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 郑远;吴健;钱峰;陈新宇;应海涛;艾萱 | 申请（专利权）人： | 南京国博电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/42 | 分类号： | H03F1/42;H03F3/343 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种线性补偿的宽带自偏置达林顿线性放大器电路，其结构由三只晶体三极管组成达林顿结构，并由二只晶体三极管组成共射-共基的达林顿后级扩展高频的带宽，一只晶体三极管的集电极与另一晶体三极管基极间串接一晶体三极管作为线性补偿电路来提高2GHz以后的线性度，该补偿电路中的晶体三极管的基极和集电极相连接并通过电阻接到达林顿结构的输出端，该晶体三极管发射极接到达林顿的共射-共基点。优点：组成共射-共基的达林顿后级扩展高频的带宽。提高线性IP3。一直到4.5GHz增益都比较平坦，保持±1dB的变化量。可以满足不同频点的增益要求，线性补偿电路提高2GHz以后的线性度，同一点的OIP3提高4到5dB。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线性 补偿 宽带 偏置 达林顿 放大器 电路 | ||
【主权项】：
一种线性补偿的宽带自偏置达林顿线性放大器电路，其特征是第一晶体三极管（Q1）、第二晶体三极管（Q2）、第三晶体三极管（Q3）组成达林顿结构，即第一晶体三极管（Q1）的发射极与第二晶体三极管（Q2）的基极相接，第二晶体三极管（Q2）的集电极与第三晶体三极管（Q3）的发射极相接，第三晶体三极管（Q3）的集电极与第一晶体三极管（Q1）的集电极相接，由第二晶体三极管（Q2）、第三晶体三极管（Q3）组成共射 共基的达林顿后级扩展高频的带宽；在第三晶体三极管（Q3）的集电极与第二晶体三极管（Q2）基极间串接第五晶体三极管（Q5）作为线性补偿电路来提高2GHz以后的线性度，该补偿电路中的第五晶体三极管（Q5）的基极和集电极相接并通过第八电阻（R8）接到达林顿结构的输出端，第五晶体三极管（Q5）发射极接到达林顿的共射 共基点。
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