[发明专利]APD红外探测器及其制作方法有效
| 申请号： | 201110199099.9 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102881761A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 陆卫;李倩;曾巧玉;陈效双;王文娟;李宁;李志锋 | 申请（专利权）人： | 常州光电技术研究所;中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0232;H01L31/0216;H01L31/18;G01J5/20 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 徐琳淞 |
| 地址： | 213164 江苏省常州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了APD红外探测器及其制作方法，APD红外探测器包括APD及与其相结合的光子耦合腔；光子耦合腔包括金属反射层、透明介质层、金属阻挡环和金属光栅层；金属反射层、透明介质层和金属光栅层按照从下向上的顺序依次生长在APD的p+-InP结上；金属阻挡环位于透明介质层的外围，并连接金属反射层和金属光栅层；金属光栅层为同心的多环金属环结构；金属反射层为两个同心金属环结构。本发明在APD红外探测器的p+-InP结上形成MIM结构的耦合汇聚光栅，通过对入射光的汇聚来缩小APD器件的p+-InP结尺寸，缩小器件的电学有效工作尺寸，从而可以在材料和器件制备工艺走到工艺极限时，在不损失量子效率下进一步抑制暗计数。 | ||
| 搜索关键词： | apd 红外探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种APD红外探测器，其特征在于：包括APD(1)及与其相结合的光子耦合腔；所述光子耦合腔包括金属反射层(3)、透明介质层(5)、金属阻挡环(6)和金属光栅层(7)；所述金属反射层(3)、透明介质层(5)和金属光栅层(7)按照从下向上的顺序依次生长在APD(1)的p+‑InP结(2)上；所述金属阻挡环(6)位于透明介质层(5)的外围，并连接金属反射层(3)和金属光栅层(7)；所述金属光栅层(7)为同心的多环金属环结构；所述金属反射层(3)为两个同心金属环结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
