[发明专利]一种提高直拉硅单晶生产效率的方法

摘要

本发明公开了一种提高直拉硅单晶生产效率的方法，包括以下步骤：一、硅原料及掺杂剂准备；二、装料；三、单晶炉炉内处理：按直拉法常规处理工艺，依次完成合炉、抽真空、熔料、引晶、放肩、转肩和等径生长过程；四、后期处理，过程如下：首先、关闭单晶炉的石墨热场系统，使单晶炉的加热功率降至零；之后，石英坩埚内剩余硅熔体表面开始结晶，且待结晶快接触硅单晶晶体时，将晶体快速提离硅熔体液面；最后，进行晶体提升及取晶，获得硅单晶成品。本发明设计合理、方法步骤简单、实现方便且易于掌握、使用效果好，省略了晶体拉制的收尾过程，提高了生产效率，能解决硅单晶生产过程中因必须进行收尾工序使得直拉硅单晶生产效率受到限制的问题。

主权项

一种提高直拉硅单晶生产效率的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：步骤一、硅原料及掺杂剂准备：按照单晶炉用硅原料的常规制备方法，制备出生长直拉单晶硅用的硅原料，并按单晶炉用硅原料的常规清洁处理方法，对制备出的硅原料进行清洁处理；同时，根据需制作硅单晶的型号和电阻率，确定需添加掺杂剂的种类和掺杂量，并对生长直拉单晶硅用的掺杂剂进行准备；步骤二、装料：按照单晶炉的常规装料方法，将步骤一中准备好的硅原料和掺杂剂分别装进已安装到位的石英坩埚内；同时，将事先准备好的籽晶安装在所述单晶炉内的籽晶夹头上；步骤三、单晶炉炉内处理：采用所述单晶炉且按直拉法的常规处理工艺，依次完成合炉、抽真空、熔料、引晶、放肩、转肩和等径生长过程；步骤四、后期处理，其后期处理过程如下：401、关闭单晶炉的石墨热场系统：步骤三中进行等径生长过程中，当等径生长的硅单晶晶体长度达到需制作硅单晶的设定长度时，关闭单晶炉的石墨热场系统，并将所述单晶炉的加热功率降至零，之后所述石英坩埚内剩余的硅熔体表面温度逐渐降低，直至所述硅熔体的表面开始结晶；402、结晶及晶体提离熔硅液面：所述硅熔体表面开始结晶后，对所述硅熔体表面的结晶现象进行同步观测，直至当所述硅熔体表面的结晶物与当前所生长硅单晶晶体之间的间隙为1mm～5mm时，通过所述单晶炉上所设置的籽晶旋转提升机构将当前所生长的硅单晶晶体向上提升，并使得当前所生长的硅单晶晶体与所述熔硅体的液面相脱离；403、晶体提升及取晶：通过所述籽晶旋转提升机构将当前所生长的硅单晶晶体提升至单晶炉副炉室内；之后，关闭单晶炉副炉室与单晶炉主炉室之间的隔离阀，对单晶炉主炉室与单晶炉副炉室进行隔离；随后，按照单晶炉的常规取晶方法，自单晶炉副炉室内取出硅单晶晶体，便完成硅单晶的生产过程，获得硅单晶成品。